IT之家10月8日消息，据德国媒体computerbase消息，三星在三星代工论坛2022活动中介绍了其内存路线图。
如上图所示，在即将到来的2023年，三星将进入1bnm工艺阶段，内存芯片容量为24Gb(3GB)-32Gb(4GB)，原生速度为6.4-7.2Gbps内存方面，新一代GDDR7内存将于明年问世，因此AMD和NVIDIA的新一代显卡中期有可能使用GDDR7内存。
此外，三星还做了一些长期设想，比如2026年推出DDR6内存，2027年推出原生10Gbps速度。
三星还公布了闪存的路线图，预计2024年推出V9 NAND芯片。
IT之家曾报道，三星在此前的Tech Day 2022活动中指出，其第九代V-NAND正在开发中，计划于2024年量产。到2030年，三星设想超过1000层NAND堆栈，以更好地支持未来的数据密集型技术。三星还宣布，全球容量最高的1Tb TLC V-NAND将于今年年底向客户提供。
